• X-ray拍摄
  

　 利用X-ray的高穿透能力，对芯片进行二维/三维拍摄，在完全不破坏芯片封装的前提下，获得芯片内部Die及Bonding的相关信息。经过X-ray拍摄，芯片依然能正常使用。

　　也可对焊有芯片的PCB进行整体拍摄，无需将芯片从PCB板上吹下。

　　

• 开盖（Decap）
  

　　部分破坏芯片正面封装，让芯片的Die和bonding暴露出来，以便在光学显微镜下观察，得到芯片内部更为详尽的信息，同时也可用聚焦离子束（FIB）对芯片进行电路修改。

　　

• 取Die
  

　　完全去除芯片封装，得到裸Die，为后续的芯片去层、染色等做准备。

　　

• 去除钝化层
  

　　为保护芯片，通常会在芯片表面覆盖一层很厚的致密磷化硅酸盐和氮化硅。芯片去层处理需首先去除这层钝化层。

• 去除金属层
  

　　芯片中用平面工艺加工出金属层，用来电连接各半导体器件，这些金属层可能是铝（Al），也可能是铜（Cu）或金（Au）。金属层均不透明，因而会挡住下层图形。为了获取芯片的各层图形信息，需要非常均匀的逐层去除各金属层。

• 去除绝缘层
  

　　各金属层之间是起绝缘作用的二氧化硅层（SiO2），在去除一层金属后，需要再去除一层绝缘层。

• 阱区染色
  

　　芯片中各种半导体器件，都是在硅基板（Substrate）上用不同浓度的P型掺杂和N型掺杂组合而成。利用PN型掺杂半导体对特殊化学试剂的显色反应，对芯片进行阱区染色，让不同区域呈现出差异性的颜色，以便半导体器件的识别。

• 码点染色
  

　　参考MCU ROM解密。

　　采用先进的光学显微镜（OM）和扫描电子显微镜（SEM），对已经处理好的芯片进行分层显微拍摄，获取各层电子显微相片。
　　我们的光学显微镜，使用高折射率油镜作为物镜，并结合共聚焦成像技术，能实现最大2000倍放大，达到光学拍摄的极限。而扫描电子显微镜则可轻松达到10000倍放大，拍摄最小线宽达45nm的芯片也绰绰有余。

放大倍率	显微镜类型	适合线宽
100	光学	概貌
200	光学	>3um
400	光学	1um～3um
1000	光学	0.5um～1um
2000	光学	0.25um～0.35um
3000	SEM	130nm～180nm
5000	SEM	90nm～110nm
10000	SEM	45nm～65nm

 

　　

　　

 

　 对各层显微相片进行无缝拼接，并保证层与层之间精确对准，客户采用我们的浏览软件Resoft能快速浏览芯片的各层完整图像。

 

　 采用先进的FEI200机台，能对铝/铜/金制程工艺芯片进行物理修改，能切断金属连线或多晶层，淀积铂金（Pt）连线，引出测试探针点。
　 同时还能在芯片特定位置制作断层，利用二次电子成像进行截面分析（Cross-Section），以获取芯片加工工艺的相关信息，并观测材料的截面结构与材料，定点分析芯片结构缺陷。
　 还能从纳米或微米尺度，从芯片中直接切取出可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜样品。